Инженеры РТУ МИРЭА значительно ускорили обработку сапфира
Инженеры РТУ МИРЭА сообщили о своих успехах в области обработки сапфира, который применяется в полупроводниковом производстве. Как сообщает сайт Ferra, специалисты смогли существенно ускорить этот процесс. Об этом рассказывает Мой Альметьевск.
В ходе работы был заменен свободный абразив на алмазный инструмент с жестким креплением зёрен, что позволило перейти от ударного разрушения к сдвиговому микрорезанию. Это привело к увеличению скорости съёма материала в 6,5 раза, а глубина дефектного слоя уменьшилась на 30–40%. Шероховатость поверхности снизилась до уровня ниже 0,07 мкм. Данная разработка имеет критическое значение для создания тонких подложек, используемых в светодиодах, лазерах и СВЧ-микроэлектронике.
Для черновой обработки наилучшие результаты показал термостабилизированный инструмент с крупным зерном, который обеспечивал скорость снятия материала почти в 6,5 раз выше, чем у аналогов. На финишной стадии оптимальным оказался инструмент с графитовыми добавками, способствующими улучшению теплоотведения. Снижение повреждённого слоя особенно критично для пластин толщиной менее 200 мкм, так как микротрещины могут привести к их разрушению на следующих этапах. Технология уже была протестирована на конференции «Перспективные материалы и технологии» и готова к внедрению.
Старший научный сотрудник центра Виктор Кадомкин отметил, что уменьшение нарушенного слоя способствует повышению механической прочности тонких приборных пластин, что, в свою очередь, сокращает время финишной полировки и снижает риск возникновения брака. В настоящее время исследователи продолжают работу над оптимизацией составов инструментов для финишного шлифования.
