Ученые КФУ разрабатывают квантовые чипы на основе карбида кремния 6H-SiC

Исследователи Казанского федерального университета разработали прорывную технологию создания масштабируемых квантовых устройств на основе карбида кремния. В отличие от алмазных аналогов, этот промышленный полупроводник позволяет выращивать подложки диаметром 200 мм, что обеспечивает совместимость со стандартными микроэлектронными процессами.

Ключевым открытием стало использование азот-вакансионных центров в кристаллической структуре 6H-SiC, демонстрирующих исключительные квантовые свойства. Экспериментально достигнут рекордный коэффициент преобразования оптического излучения (k=0.999), обеспечивающий эффективную связь между спиновыми центрами и фотонами.

Особую значимость технологии придают:

• Секундное время жизни спиновых состояний
• Работа в ближнем ИК-диапазоне (1100-1300 нм)
• Возможность применения фотолитографии и ионной имплантации

Эти характеристики открывают перспективы создания:

• Высокоинтегрированных квантовых чипов
• Дальнодействующих систем квантовой связи
• Массового производства квантовых устройств

Разработка позиционируется как основа для нового поколения квантовых технологий с промышленной масштабируемостью.

Обратите внимание: «Готовьтесь к этому с 1 сентября»: ГИБДД начнет аннулировать регистрацию авто