Запатентован метод очистки нанопорошка для микроэлектроники
Ученые из Нижегородского университета Лобачевского получили патент на метод глубокой очистки нанопорошка диоксида кремния, предназначенного для микроэлектроники. Также был разработан подход к комплексному управлению свойствами этих наночастиц. Данную информацию сообщает портал ТАСС.
Специалисты научно-исследовательской лаборатории инженерной химии НИИ химии университета создали технологию, позволяющую получать частицы с заданными размерами, формами и высокой однородностью, что критически важно для производства микросхем. Это изобретение нацелено на очистку аморфного диоксида кремния и может быть использовано в химико-механической полировке полупроводниковых пластин, а также в процессах, требующих высокочистых абразивных материалов.
Разработаны технологическая линия и регламент получения продукта, что позволило создать стабильную суспензию, направленную на апробацию у индустриального партнера. В условиях ограничений поставок возникла необходимость в создании отечественных аналогов, сопоставимых с зарубежными.
Качество обработки пластин зависит от размера, формы и однородности наночастиц, что влияет на надежность и производительность электронных устройств. Поэтому разработка отечественных материалов с контролируемыми характеристиками важна для развития российской микроэлектроники и снижения зависимости от импорта.
Создание компонентной базы для микроэлектроники является одной из ключевых задач страны. Запатентованная технология демонстрирует, как университетская наука отвечает на вызовы времени и потребности индустрии. Целью является обеспечение полного цикла от фундаментальных исследований до серийного внедрения, что подтверждается успешным масштабированием процесса и переходом к испытаниям с индустриальным партнером.
