Samsung анонсировала флеш-память BV-NAND V10 и zHBM для ИИ

Компания Samsung представила ряд новых технологий в области памяти и накопителей на выставке FMS 2026. В числе новинок — флеш-память BV-NAND V10 и решение zHBM, предназначенное для искусственного интеллекта. Об этом сообщает издание RUNET.

Флеш-память BV-NAND V10 привлекла внимание как первая в мире память с более чем четырьмя сотнями слоев ячеек, созданных с использованием уникальной технологии. Плотность хранения этой модели увеличилась на пятьдесят восемь процентов по сравнению с предыдущей версией.

Решение zHBM для ИИ устанавливается непосредственно на ускорители, что сокращает путь передачи данных. Это обеспечивает восьмикратное увеличение скорости работы и десятикратное повышение плотности по сравнению со стандартной HBM5, при этом потребление энергии снижается в три раза.

Также была представлена флеш-память zNAND-O, предназначенная для устройств, работающих на «переднем крае» ИИ, таких как смартфоны и умные камеры. Ещё одной новинкой стала оперативная память LPDDR5X-PIM, которая может обрабатывать часть данных внутри себя, не нагружая процессор.