Ученые укротили четвертое состояние вещества: Пройдет путь от искры к чипу
freepik
Моделирование плазменных процессов представляет собой непростую задачу; даже самые мощные суперкомпьютеры не всегда справляются с необходимыми вычислениями, учитывающими траекторию каждой частицы. Ученые предложили инновационный подход, дающий возможность проводить вычисления быстрее и с большей уверенностью.
Данная технология уже внедрена компанией Applied Materials, одним из лидеров в производстве оборудования для микроэлектронной промышленности.
Прежняя версия программы часто давала сбои, однако эксперту удалось модифицировать уравнения, повысив тем самым стабильность симуляции. В результате был создан инструмент для моделирования плазмы в двух измерениях.
Ключевым улучшением является расчет электрического поля, обеспечивающего нагрев плазмы. Физики использовали методы, позволяющие принимать во внимание перемещение отдельных частиц, а не обобщенные параметры, как это делается в гидродинамических моделях. Это особенно актуально для промышленных процессов, характеризующихся низким давлением газов. Более того, симуляция строго придерживается закона сохранения энергии – погрешности не накапливаются, что повышает точность результатов. Это значительный прогресс, отмечает соавтор исследования Игорь Каганович.
Пишет innovanews
