МФТИ: открытие физиков улучшяет работу нанотранзисторов

Физики МФТИ нашли ранее неизвестный путь движения электронов через тонкие барьеры в нанотранзисторах. Многоэтапное туннелирование позволяет частицам проходить через два дефекта в материале, повышая эффективность устройства и снижая энергозатраты.

Сравнение с традиционным подходом

Ранее считалось, что электроны преодолевают барьер напрямую без потерь. Новое открытие показывает, что туннелирование через последовательные дефекты выгоднее, аналогично перепрыгиванию через реку с промежуточными камнями. Этот эффект делает управление током более энергоэффективным.

Влияние на нанотранзисторы

Эффект открывает возможности для создания новых туннельных транзисторов и спектроскопов сверхвысокой точности. Управление устройствами требует меньших напряжений, а новые методы спектроскопии позволят улучшить диагностику и характеристики материалов для электроники следующего поколения.

Международное сотрудничество

В исследовании участвовали ученые из России, Японии, Сингапура, Китая и Армении. Совместные усилия помогают глубже понять процессы в нанотранзисторах и ускоряют внедрение передовых технологий в промышленность, открывая перспективы для энергоэффективной электроники.

Больше новостей и эксклюзивных видео смотрите в канале Самара Онлайн 24 в MAX.

Читайте также:

• Очереди из-за одной вещи: почему все скупают «умную» кружку в Чижике
• Вы можете попасться в любой момент! Мошенники рассылают фейки про штрафы на Госуслуги
• Проверьте участок срочно: один сорняк может обойтись дачникам в огромный штраф
• Пенсионный возраст вернут назад? Что изменится уже летом 2026 года — важные детали
• Проверьте свою кухню: лучший пакетированный чай по версии Роскачества