CXMT начала массовый выпуск платформы памяти DRAM пятого поколения
Китайская компания ChangXin Memory Technologies объявила о старте массового производства платформы DRAM пятого поколения. Эта разработка отличается повышенной производительностью и энергоэффективностью. Об этом сообщает сайт Ferra.
Технология изготовления включает расстояние между структурами в 11,95 нанометра и использует четырехкратное формирование рисунка. Вице-президент CXMT Ло Сяодун отметил, что процесс сопоставим с современными узлами, которые уже находятся в серийном производстве.
На новой платформе созданы два 24-гигабитных чипа LPDDR5X в различных корпусах. Эти чипы способны вмещать на 50% больше данных по сравнению с предыдущими моделями и уже начали массовое производство, согласно информации Reuters.
CXMT также подчеркивает, что пятое поколение позволяет получить как минимум на 50% больше необработанных кристаллов с одной пластины по сравнению с четвертым поколением при базовом объеме восемь гигабит. Этот показатель рассчитывается до учета дефектов.
Разработка велась с использованием моделирования и при поддержке китайских производителей оборудования. На международной арене DRAM CXMT соперничает с такими компаниями, как Samsung Electronics, SK Hynix и Micron Technology.
