Российские ученые создали диоды нового поколения на основе оксида галлия
freepik
Стало известно о создании в России диодов на базе оксида галлия, которые найдут применение в различных отраслях промышленности.
В рамках реализации проекта научные сотрудники создали диоды, способные выдерживать напряжение пробоя, превышающее 1000 вольт. Испытания этих полупроводниковых устройств были проведены в этом году в лаборатории металлооксидных полупроводников, входящей в состав центра "Перспективные технологии в микроэлектронике" ТГУ.
По словам разработчиков, в настоящее время ведутся работы по оптимизации технологического процесса. Задача состоит в усовершенствовании технических процедур для увеличения доли исправных диодов с барьером Шоттки. Области применения этих диодов весьма разнообразны: от создания энергоэффективных зарядных устройств и мощных источников питания до использования в схемах управления двигателями автомобилей и в других силовых электронных системах.
Обратите внимание: С 1 августа пенсионерам поступит на карту единовременная выплата с четырьмя нулями
Пишет ТАСС
