Созданы новые материалы для суперскоростных вычислительных устройств
Российские физики разработали идеальную границу раздела между ферромагнетиками и антиферромагнетиками. Эти достижения открывают новые возможности для создания высокоскоростных и энергоэффективных вычислительных устройств, как сообщили в Физическом институте им. П. Н. Лебедева РАН (ФИАН). Об этом пишет сайт ТАСС.
Слоистые магнитоупорядоченные материалы, включая ферромагнетики и антиферромагнетики, являются перспективными для высокоскоростных спинтронных устройств, которые используют как электрический заряд электрона, так и его спин. Однако для их создания необходимо выполнение ряда условий, которые не могут быть достигнуты с использованием только одного типа материала. Одним из решений может стать формирование двумерного ферромагнитного слоя на поверхности слоистых антиферромагнетиков, что объединит достоинства обоих типов материалов.
Ученые из ФИАН решили эту задачу, создав практически идеальную ферромагнитно-упорядоченную границу в слоистом антиферромагнитном кристалле. Академик Владимир Пудалов, руководитель Центра высокотемпературной сверхпроводимости и квантовых материалов им. В. Л. Гинзбурга ФИАН, отметил, что это открывает новые перспективы для разработки быстродействующих и стабильных устройств с магнитным упорядочением на наноуровне. Исследование может способствовать созданию устройств для хранения и быстрой обработки больших объемов данных.
Ферромагнетики — твердые вещества, которые могут сильно намагничиваться даже в слабом магнитном поле и сохранять намагниченность после его исчезновения. Антиферромагнетики имеют магнитные моменты атомов, ориентированные антипараллельно, что приводит к малому или нулевому магнитному моменту. Эффекты этих материалов взаимно компенсируются, что делает их намагниченность близкой к нулю в внешнем поле.
Результаты исследования опубликованы в научном журнале Physical Review Materials.
