Создан материал для новой электроники с высокой энергоэффективностью
Ученые Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета "ЛЭТИ", Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе РАН и Санкт-Петербургского государственного университета впервые синтезировали кристаллы оксида галлия, легированные железом, которые демонстрируют магнитные свойства при комнатной температуре. Это открывает новые возможности для разработки сверхэффективной памяти для будущих электронных устройств. Об этом сообщает сайт ТАСС.
Команда исследователей использовала раствор-расплавный метод для выращивания монокристаллов оксида галлия с высокой легировкой железом. В полученных образцах были обнаружены признаки магнитного упорядочения при комнатной температуре, что подтвердил профессор кафедры микро- и наноэлектроники СПбГЭТУ "ЛЭТИ" и старший научный сотрудник лаборатории физики профилированных кристаллов ФТИ им. Иоффе РАН Камиль Гареев.
Для спинтроники необходимы полупроводники, которые могут управлять электрическими и магнитными свойствами. Такие материалы позволят создавать новые типы памяти с высокой энергонезависимостью и энергоэффективностью. Исследователи из ЛЭТИ, ФТИ им. Иоффе РАН и СПбГУ впервые изучили магнитные характеристики кристаллов оксида галлия, легированных железом, что может стать перспективной заменой кремния в силовой электронике.
В ходе работы был сделан шаг к тому, чтобы оксид галлия приобрел ферромагнитные свойства, что в будущем может привести к созданию электронных приборов на основе спинтроники. Это обеспечит быструю коммутацию энергии в линиях высокого напряжения и надежное магнитное хранение данных на одном кристалле, отметил заведующий лабораторией физики профилированных кристаллов ФТИ им. Иоффе РАН Владимир Николаев.
